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    Si-Quantenpunkte: Bildungsmechanismen, chemischer Umgebung und elektronische Eigenschaften

    29.01.2016 09:27
    Die DFG fördert am Lehrstuhl Nanotechnologie ein Grundlagenprojekt zum strukturellen, optischen und elektrischen Verständnis von größenkontrollierten Si NCs.

    Es soll das strukturelle, optische und elektrische Grundlagenverständnis von größenkontrollierten Si NC weiter vertieft werden, um die derzeit offenen Fragen bezüglich der Eigenschaften von Si Quantenpunkten zu klären. Im optischen Bereich betrifft dies das Verständnis der Wechselwirkung von benachbarten NCs, sowie ein tieferes Verständnis exzitonischer Migration. Hierzu sollen insbesondere die planaren TEM Untersuchungen fortgesetzt werden, wodurch ein direkter Vergleich von strukturellen und optischen Daten ermöglicht wird. Ein besonderes Augenmerk soll dabei auf die Aufklärung der grundlegenden Mechanismen der multiplen Exzitonen-Generation (MEG, oder SSQC für space separated quantum cutting) gelegt werden. Aufgrund unserer langjährigen Erfahrungen mit Si Nanokristallen und unserer exzellenten experimentellen Basis sollen im Rahmen dieses Fortsetzungsantrags wegweisende Beiträge zum tieferen Verständnis von elektronischen und optischen Eigenschaften geleisten werden.



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